Descripción del proyecto
El objetivo principal del proyecto es permitir la generación de capacidad de fabricación nacional de dispositivos de GaN, para lo cual se propone la creación de una planta nacional de fabricación en tecnología GaN. Esto permitirá la fabricación de dispositivos GaN de RF de alta potencia y ancho de banda críticos en la cadena de suministro en defensa y comunicaciones.
Adicionalmente, se abordará la generación de capacidad de empaquetamiento avanzado, donde se propone el estudio de varios mecanismos novedosos de montaje/soldadura de dispositivos MMICs y circuitos complementarios necesarios para la realización de módulos TRMs compactos a través del uso de SiP (System in Package) de tecnologías mixtas (RF/digital).
Socios industriales
Papel de Indra
Indra Sistemas es la empresa líder en este consorcio y llevará la coordinación del mismo. También es la responsable de varios paquetes de trabajo y participa como colaboradora en el resto de paquetes. Indra lidera las tareas relacionadas con el diseño y desarrollo del demostrador basado en técnicas avanzadas de “straight assembly”, así como como colaboradora en las tareas del diseño y desarrollo del SiP digital.
Universidades y centros tecnológicos subcontratados
Tecnologías empleadas
La industria de semiconductores es esencial y estratégica en el sector de defensa y seguridad. La tecnología de GaN ofrece un gran potencial para la comunicación de RF/ondas milimétricas bajas debido a sus excelentes propiedades físicas. La tecnología puede manejar frecuencias de conmutación más altas que la tecnología actual basada en Si debido a su alta movilidad. Más allá de la velocidad, la tecnología basada en GaN es capaz de entregar una alta potencia de salida con una buena eficiencia energética. Estas características pueden hacer de GaN una tecnología atractiva para usar en los amplificadores de potencia (PA) que residen en los módulos frontales de los teléfonos móviles y celdas pequeñas de próxima generación, además de en aplicaciones de comunicaciones orientadas a sistemas de defensa.
Así mismo, las técnicas de empaquetamiento avanzado de dispositivos permiten la integración heterogénea y cuyo reto es aunar diferentes dominios (radiofrecuencia, analógico, digital, pudiendo existir también la posibilidad de utilizar dispositivos fotónicos/ópticos) bajo un mismo dispositivo con altas prestaciones, bajo tamaño, peso y consumo (SWaP-C).
Más información
Este Proyecto, con nº de expediente EXP 00162501 / MIG-20231012, ha sido financiado con cargo a los fondos “Next Generation EU” del Mecanismo de Recuperación y Resiliencia de la UE.
Objetivos de Desarrollo Sostenible (ODS) de la ONU:
